在先进的半导体制造领域中确保精度、质量控制和可靠性所必需的工具

您是否预见到越来越精密的工艺尺寸所带来的挑战？您准备好推动高效半导体制造了吗？

TSI®和TSI®下属的MSP是应对这些纳米级挑战的完美合作伙伴。我们拥有您所需的技术专业知识和工具，能够帮助您在竞争激烈的制造业中占据领先位置：

• 零部件洁净度测试可低至2 nm

• 高纯度气体中的粒子检测可低至2 nm

• 薄膜沉积

• ​检测工具校准低至10 nm

保持竞争优势——信任TSI®和MSP作为您的首选合作伙伴，帮助您克服半导体生产过程中的纳米级挑战

通过检测粒径低至2nm的粒子来降低半导体制造中的污染风险

我们的尖端技术能够检测和测量粒径低至2nm的尘埃粒子，能够帮助您在半导体制造过程中降低风险并提高质量。

检测粒径低至2nm的粒子是一项重大挑战，但在先进的半导体制造工艺中至关重要，在这个专业领域，TSI竭诚为您提供服务。半导体制造环境中粒子污染水平的精确监测和控制不仅是最大限度降低缺陷风险的关键，也是确保符合行业标准的关键。这使您能够采取主动措施来维护半导体生产环境的完整性，从而节省资金。

用于高纯度工艺气体中零部件洁净度测试和粒子检测的成熟解决方案

为确保关键部件和高纯度气体符合最高洁净度标准，您需要能够检测10 nm以下尘埃粒子的解决方案。半导体生产环境中微粒污染水平的精确数据使您能够做出明智的决策，并主动维护半导体工艺的完整性。

使用多款TSI仪器，可以测量低至10 nm的粒子。TSI还提供粒子计数器产品，使您能够检测低至2nm的尘埃粒子，这是市场上是绝无仅有的。我们的仪器提供可靠的和可重复性的测量结果。由此产生的数据使您有信心解决关键的行业挑战，并进一步最大限度地降低流程风险。

测试零部件洁净度   测试高纯度工艺气体

CVD-提供一致的薄膜沉积

化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）是微电子器件制造中最重要的步骤之一。在此阶段，缺陷是一个代价高昂的问题，但其中一些缺陷是可以预防的。

在CVD工艺中，蒸发器用于将液体转变为气体以进行该膜沉积。在液体蒸发后使用的过滤方法可以减少CVD缺陷，增加维护前的平均时间，并实现低压等离子体增强工艺。

用于薄膜沉积的蒸发器

用于检测工具校准的可重复污染检测标准

晶片和光掩模污染标准用于开发、鉴定和校准晶片和光掩模检测系统。可追溯到美国国家标准与技术研究院（NIST）的粒子沉积在裸硅晶片或选择的衬底上，包括晶片或光掩模。这些沉积的粒子具有特定的粒径、成分和数量。它们可以沉积在裸晶片、薄膜晶片和化晶圆片上。

MSP粒子沉积系统可以沉积粒径低至10nm的粒子，增强半导体检测工具系统的校准。

检验工具校准

TSI是 SEMI的荣誉会员，SEMI是一个专注于半导体制造和相关行业的行业协会，致力于实现他们对半导体行业的承诺。